纳米终结半导体10年内进入埃米时代：靠ASML新EUV光刻机了

当前，量产的晶体管已经进入4nm尺度，3nm研发也已经冻结进入试产。

在11月于日本举办的线上ITF大会上，半导体行业大脑imec公布了未来十年的技术蓝图。。

根据消息显示，2025年后，晶体管微缩化进入埃米尺度，时间节点的规划是，2025年A14，2027年为A10，2029年为A7。

微观晶体管结构层面，imec试图在14#8491，节点使用Forksheet结构，10#8491，节点试图采用CEFT结构，1纳米以下计划采用原子形状的沟道，依赖Mo，W，X为硫，Se硒，Te等2D材料和High NAEUV光刻机来实现。

说到High NA EUV光刻机，一号原型机将在2023年由ASML提供给imec的联合实验室，2026年量产，从而服务1nm及更先进的节点。目前，华卓荆轲的DWS系列双级可用于65nm及以上节点的I线，KrF和ArF干掩模对准器，但尚未通过上海微电子的验收。