西安电子科技大学攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产

2024-07-12 11:14:51 电子工程网阅读量：6375   
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6 英寸蓝宝石基增强型 e-GaN HEMTs 晶圆在该项目的研究中，研究团队还成功研发了 8 英寸 GaN 电力电子芯片，首次证明了 8 英寸蓝宝石基 GaN HEMTs 晶圆量产的可行性，并打破了传统 GaN 技术难以同时兼顾大尺寸、高耐压、低成本的国际难题，被国际著名半导体行业杂志《Semiconductor Today》专题报道。