上海微系统所在300mmSOI晶圆制造技术方面实现突破

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图2. 国内第一片300 mm RF-SOI晶圆；(b) RF-SOI晶圆剖面TEM照片；(c) RF-SOI晶圆顶层硅厚度分布；(d) RF-SOI晶圆表面AFM图目前，RF-SOI晶圆，已经成为射频应用的主流衬底材料，占据开关、低噪放和调谐器等射频前端芯片90%以上的市场份额。随着5G网络的全面铺开，移动终端对射频模块的需求持续增加，射频前端芯片制造工艺正在从200 mm到300mm RF-SOI过渡，借此机会，国内主流集成电路制造企业也在积极拓展300mm RF-SOI工艺代工能力。因此，300 mm RF-SOI晶圆的自主制备将有力推动国内RF-SOI芯片设计、代工以及封装等全产业链的协同快速发展，并为国内SOI晶圆的供应安全提供坚实的保障。