5G基站芯片的发展现状是怎样的？

最近几年来，芯片一直是业界的热门话题但是，5G基站芯片是相对Rdquo神秘，除了部分设备厂商公布了先进的7nm基站芯片的研发进度，整体上并没有引起太多关注

今天，在中国移动2022科技周暨移动信息产业链创新大会上，中信分公司移动技术总监冯亮发表演讲，介绍了5G基站芯片的发展现状和5G小站的演进思路。

这个过程是广泛的。

据冯亮介绍，5G基站芯片种类繁多，包括CPU，FPGA，交换芯片，电源芯片，时钟芯片等等与智能手机等消费类产品追求技术顶尖不同，5G基站作为工业产品，对芯片技术整体要求不高，不同芯片采用各自的自适应技术

从应用现状来看，核心芯片如CPU，FPGA，DFE等对工艺要求高，主要采用10纳米到28纳米的工艺TRX，DDR4，交换机芯片等重要芯片，采用19纳米至28纳米工艺一些配套设备和通用设备可以使用一些非常成熟的技术

常规设备的工艺要求很低，整个过程可以独立控制但技术要求高的核心器件抗风险能力弱，需要广大设备厂商的支持冯亮指出，这需要业界共同培育核心器件群体，降低单一供应商的风险，推动5G基站芯片的全产业链

目前，中国移动牵头成立了信息通信芯片产业链创新中心，其中有芯片研究联合工作组该中心的参与厂商包括大唐，中兴，华为，京信，联想等设备厂商，以及大量芯片厂商，聚集产业资源推动5G基站芯片的发展

核心设备分析

分析了冯亮国内企业5G基站芯片的竞争力其中，CPU，FPGA，基带SoC，国际上目前商用市场应用广泛，在成本，功耗，竞争力上都有优势共同的问题是他们的支援和反应速度较弱据报道，一些制造商将推出5纳米和更先进技术的芯片国内在整体能力和集成度上与国际行业有差距，功耗和成本差距拉大同时进入者多，可以有效抵御供给风险

据冯亮介绍，基站的商用产品对数字器件的要求很高，目前集中在16nm及以上高端CPU芯片和高端FPGA芯片已经使用10nm工艺，而国内行业高端CPU芯片目前在14nm工艺，高端FPGA工艺还在28nm

模拟器件对基站商用产品的工艺要求低于数字器件国外高集成度射频收发器件采用28nm工艺，最新突破到16nm:国内工业射频收发器件采用28nm工艺

此外，低功率功率放大器芯片使用GaAs功率放大器目前基板基本靠进口，国内行业所有研发都处于起步阶段其他低集成度器件采用90nm及更低工艺等级器件，各环节自主可控，已批量用于商用基站产品

5G站的演进

在演讲中，冯亮还谈到了5G站的演进伴随着运营商5G扩展小基站集中收购的临近，5G小基站即将大规模商用5G小站平台的产品成本和功耗是制约未来发展的关键底层芯片的自主可控方案对小站的技术演进和产业链的战略安全具有重要意义

5G站BBU的演进方向是通用设备向专用设备发展，分立设备向集成设备发展网络处理单元，物理层处理单元等关键单元是重点突破方向

pRRU方面，面向室内覆盖场景的5G pRRU产品对低功耗，低成本的芯片要求很高国产工业芯片在产品序列，性能指标，应用体验等方面还存在差距，亟待提升数字前端芯片，射频集成收发器等关键器件是重点突破方向

中国信保与国内行业众多芯片厂商保持联系，开发低功耗，低成本的小站目前已完成立项和前期研究，进入总体方案设计阶段预计2022年底推出低功耗，低成本的小站样机